Pesquisadores coreanos desenvolveram recentemente uma tecnologia capaz de reduzir a perda de corrente elétrica entre metais e grafeno, um material revolucionário com muitas aplicações práticas em eletrônica.
No dia16 de fevereiro, o professor Jin Hong Park da Faculdade de Engenharia Elétrica e Eletrônica da Universidade Sungkyunkwan e sua equipe de pesquisa anunciaram o desenvolvimento de um novo design do grafeno. Em comparação com a tecnologia existente, o novo desenho pode reduzir a resistência de contato entre o metal e o grafeno em cerca de 25%. Normalmente, os elétrons da corrente elétrica perdem parte de sua energia na forma de calor devido à resistência de contato entre o metal e o semicondutor.
A corrente elétrica geralmente flui bem através dos metais, mas não no grafeno. Como resultado, a intensidade da corrente que flui fica enfraquecida quando os dois materiais estão em contato um com o outro, devido ao aumento da resistência. Isso leva ao mal desempenho de dispositivos eletrônicos que utilizam o grafeno.
A equipe conseguiu aumentar a densidade eletrônica do metal em contato com o grafeno através da borda. Quanto maior a densidade dos elétrons, melhor a corrente flui. Além disso, eles criaram um ambiente no qual a corrente pode fluir bem através do aquecimento dos materiais que fornecem eletróns sob o grafeno.
De acordo com o Prof. Park, “em comparação com dispositivos de grafeno já existentes, podemos garantir que a nova operação funciona quatro vezes melhor. Ele maximiza o desempenho de dispositivos eletrônicos de última geração e poderá ter várias aplicações, em instrumentos mais flexíveis”, conta.
A universidade de Sungkyunkwan é a mais antiga da Ásia Oriental, sendo fundada em 1398. O Semesp irá visitar essa e outras instituições de ensino da Coreia do Sul durante a 8ª edição da Missão Técnica. Participe! As vagas são limitadas.
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